AONR32314 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AONR32314

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для AONR32314

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR32314 даташит

 ..1. Size:348K  aosemi
 aonr32314.pdf pdf_icon

AONR32314

AONR32314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:354K  aosemi
 aonr32318.pdf pdf_icon

AONR32314

AONR32318 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Optimized for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:533K  1
 aonr32340c.pdf pdf_icon

AONR32314

AONR32340C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:369K  aosemi
 aonr32320c.pdf pdf_icon

AONR32314

AONR32320C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON7442, AON7518, AON7566, AON7568, AONE36132, AONE36182, AONR21307, AONR21357, K4145, AONR36366, AONR36368, AONR62818, AONR66406, AONS21307, AONS21357, AONS32306, AONS32314