Справочник MOSFET. AONR32314

 

AONR32314 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONR32314
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для AONR32314

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR32314 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  aosemi
 aonr32314.pdf pdf_icon

AONR32314

AONR3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:354K  aosemi
 aonr32318.pdf pdf_icon

AONR32314

AONR3231830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Optimized for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:533K  1
 aonr32340c.pdf pdf_icon

AONR32314

AONR32340C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:369K  aosemi
 aonr32320c.pdf pdf_icon

AONR32314

AONR32320C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON7442 , AON7518 , AON7566 , AON7568 , AONE36132 , AONE36182 , AONR21307 , AONR21357 , IRFB3607 , AONR36366 , AONR36368 , AONR62818 , AONR66406 , AONS21307 , AONS21357 , AONS32306 , AONS32314 .

History: UT2309 | PP9C15AF | 2SK3835 | 2SK3935

 

 
Back to Top

 


 
.