AONR36366 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONR36366 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONR36366
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для AONR36366

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR36366 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:431K  aosemi
 aonr36366.pdf pdf_icon

AONR36366

AONR3636630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS Trench Power LV MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 34A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:361K  aosemi
 aonr36368.pdf pdf_icon

AONR36366

AONR3636830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power LV MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:371K  aosemi
 aonr36321.pdf pdf_icon

AONR36366

AONR3632130V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:755K  aosemi
 aonr36326c.pdf pdf_icon

AONR36366

AONR36326C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON7518 , AON7566 , AON7568 , AONE36132 , AONE36182 , AONR21307 , AONR21357 , AONR32314 , 13N50 , AONR36368 , AONR62818 , AONR66406 , AONS21307 , AONS21357 , AONS32306 , AONS32314 , AONS62602 .

History: FMI12N50E | AOL1404G | AOK60N30L | AOI2610E | AONR21357 | STD80N10F7

 

 
Back to Top

 


 
.