AONR66406 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONR66406 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONR66406
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP
 

 Аналог (замена) для AONR66406

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR66406 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  aosemi
 aonr66406.pdf pdf_icon

AONR66406

AONR66406TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 30A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:483K  aosemi
 aonr66620.pdf pdf_icon

AONR66406

AONR66620TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:442K  aosemi
 aonr66821.pdf pdf_icon

AONR66406

AONR66821TM80V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS80V Trench Power AlphaSGTTM technology 80V ID (at VGS=10V) 93A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:806K  aosemi
 aonr66922.pdf pdf_icon

AONR66406

AONR66922TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONE36132 , AONE36182 , AONR21307 , AONR21357 , AONR32314 , AONR36366 , AONR36368 , AONR62818 , 5N65 , AONS21307 , AONS21357 , AONS32306 , AONS32314 , AONS62602 , AONS62614 , AONS62618 , AONS62922 .

 

 
Back to Top

 


 
.