AONS21357 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AONS21357

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AONS21357

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS21357 даташит

 ..1. Size:387K  1
 aons21357.pdf pdf_icon

AONS21357

AONS21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 ..2. Size:387K  aosemi
 aons21357.pdf pdf_icon

AONS21357

AONS21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:336K  aosemi
 aons21307.pdf pdf_icon

AONS21357

AONS21307 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:731K  aosemi
 aons21321.pdf pdf_icon

AONS21357

AONS21321 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONR21307, AONR21357, AONR32314, AONR36366, AONR36368, AONR62818, AONR66406, AONS21307, IRFB3607, AONS32306, AONS32314, AONS62602, AONS62614, AONS62618, AONS62922, AONS66402, AONS66406