AONS21357 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONS21357 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONS21357
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AONS21357

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS21357 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:387K  1
 aons21357.pdf pdf_icon

AONS21357

AONS2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 ..2. Size:387K  aosemi
 aons21357.pdf pdf_icon

AONS21357

AONS2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:336K  aosemi
 aons21307.pdf pdf_icon

AONS21357

AONS2130730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:731K  aosemi
 aons21321.pdf pdf_icon

AONS21357

AONS2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONR21307 , AONR21357 , AONR32314 , AONR36366 , AONR36368 , AONR62818 , AONR66406 , AONS21307 , AON7506 , AONS32306 , AONS32314 , AONS62602 , AONS62614 , AONS62618 , AONS62922 , AONS66402 , AONS66406 .

History: NCEP18N10AK | XP161A11A1PR | HM2302DR | 3N70G-TM3-T | PSMN4R3-80PS | CS30N10D

 

 
Back to Top

 


 
.