AONS32306 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AONS32306

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AONS32306

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS32306 даташит

 ..1. Size:387K  aosemi
 aons32306.pdf pdf_icon

AONS32306

AONS32306 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:693K  aosemi
 aons32302.pdf pdf_icon

AONS32306

AONS32302 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 220A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:403K  aosemi
 aons32303.pdf pdf_icon

AONS32306

AONS32303 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 200A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:754K  aosemi
 aons32304.pdf pdf_icon

AONS32306

AONS32304 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 140A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONR21357, AONR32314, AONR36366, AONR36368, AONR62818, AONR66406, AONS21307, AONS21357, AON6380, AONS32314, AONS62602, AONS62614, AONS62618, AONS62922, AONS66402, AONS66406, AONS66916