Справочник MOSFET. AONS32306

 

AONS32306 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS32306
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AONS32306

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS32306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:387K  aosemi
 aons32306.pdf pdf_icon

AONS32306

AONS3230630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:693K  aosemi
 aons32302.pdf pdf_icon

AONS32306

AONS3230230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 220A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:403K  aosemi
 aons32303.pdf pdf_icon

AONS32306

AONS3230330V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 200A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:754K  aosemi
 aons32304.pdf pdf_icon

AONS32306

AONS3230430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 140A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONR21357 , AONR32314 , AONR36366 , AONR36368 , AONR62818 , AONR66406 , AONS21307 , AONS21357 , IRLZ44N , AONS32314 , AONS62602 , AONS62614 , AONS62618 , AONS62922 , AONS66402 , AONS66406 , AONS66916 .

History: PPMET20V08E

 

 
Back to Top

 


 
.