AONS32314 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONS32314 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONS32314
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AONS32314

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS32314 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  aosemi
 aons32314.pdf pdf_icon

AONS32314

AONS3231430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A High Current capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:634K  aosemi
 aons32310.pdf pdf_icon

AONS32314

AONS3231030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 400A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:693K  aosemi
 aons32302.pdf pdf_icon

AONS32314

AONS3230230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 220A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:387K  aosemi
 aons32306.pdf pdf_icon

AONS32314

AONS3230630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 36A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONR32314 , AONR36366 , AONR36368 , AONR62818 , AONR66406 , AONS21307 , AONS21357 , AONS32306 , AO4407 , AONS62602 , AONS62614 , AONS62618 , AONS62922 , AONS66402 , AONS66406 , AONS66916 , AOSD62666E .

History: NTGD4161PT1G | YJL2301F | BSC030P03NS3G | RU30S4H | SI2316BDS | CTM18N20 | SVF10N65F

 

 
Back to Top

 


 
.