Справочник MOSFET. AONS62614

 

AONS62614 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS62614
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS62614 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  aosemi
 aons62614.pdf pdf_icon

AONS62614

AONS62614TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:362K  aosemi
 aons62614t.pdf pdf_icon

AONS62614

AONS62614TTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 170A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:329K  aosemi
 aons62618.pdf pdf_icon

AONS62614

AONS62618TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 44A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:364K  aosemi
 aons62606.pdf pdf_icon

AONS62614

AONS6260660V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.