Справочник MOSFET. AONS62922

 

AONS62922 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS62922
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AONS62922

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS62922 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  1
 aons62922.pdf pdf_icon

AONS62922

AONS62922TM120V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:336K  aosemi
 aons62922.pdf pdf_icon

AONS62922

AONS62922TM120V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:352K  aosemi
 aons62920.pdf pdf_icon

AONS62922

AONS62920TM100V Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:364K  aosemi
 aons62606.pdf pdf_icon

AONS62922

AONS6260660V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONR66406 , AONS21307 , AONS21357 , AONS32306 , AONS32314 , AONS62602 , AONS62614 , AONS62618 , 20N50 , AONS66402 , AONS66406 , AONS66916 , AOSD62666E , AOSP21307 , AOSP21357 , AOSP32314 , AOSP32368 .

History: RYC002N05 | DMG7N65 | STY100NS20FD | SI1413EDH | LSH60R2K5HT | S68N08ZS | AP15P10GJ

 

 
Back to Top

 


 
.