Справочник MOSFET. AONS62922

 

AONS62922 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS62922
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS62922 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  1
 aons62922.pdf pdf_icon

AONS62922

AONS62922TM120V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:336K  aosemi
 aons62922.pdf pdf_icon

AONS62922

AONS62922TM120V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:352K  aosemi
 aons62920.pdf pdf_icon

AONS62922

AONS62920TM100V Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:364K  aosemi
 aons62606.pdf pdf_icon

AONS62922

AONS6260660V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: APM4812K | FDC654P | OSG55R074HSZF | PNMET20V06E | 2SK1501 | CM9N20 | SPD04N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.