AONS62922 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AONS62922

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AONS62922

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS62922 даташит

 ..1. Size:336K  1
 aons62922.pdf pdf_icon

AONS62922

AONS62922 TM 120V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:336K  aosemi
 aons62922.pdf pdf_icon

AONS62922

AONS62922 TM 120V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:352K  aosemi
 aons62920.pdf pdf_icon

AONS62922

AONS62920 TM 100V Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:364K  aosemi
 aons62606.pdf pdf_icon

AONS62922

AONS62606 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONR66406, AONS21307, AONS21357, AONS32306, AONS32314, AONS62602, AONS62614, AONS62618, STP80NF70, AONS66402, AONS66406, AONS66916, AOSD62666E, AOSP21307, AOSP21357, AOSP32314, AOSP32368