AOSP21357 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOSP21357

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AOSP21357

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP21357 даташит

 ..1. Size:295K  aosemi
 aosp21357.pdf pdf_icon

AOSP21357

AOSP21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -16A High Current capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:258K  aosemi
 aosp21321.pdf pdf_icon

AOSP21357

AOSP21321 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -11A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:375K  aosemi
 aosp21311c.pdf pdf_icon

AOSP21357

AOSP21311C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -6.5A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.3. Size:308K  aosemi
 aosp21307.pdf pdf_icon

AOSP21357

AOSP21307 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -14A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS62614, AONS62618, AONS62922, AONS66402, AONS66406, AONS66916, AOSD62666E, AOSP21307, IRFP250, AOSP32314, AOSP32368, AOSP66406, AOT2140L, AOT2142L, AOT2146L, AOT2502L, AOT2904