AOT2140L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOT2140L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1635 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AOT2140L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT2140L даташит

 ..1. Size:786K  aosemi
aot2140l aob2140l.pdfpdf_icon

AOT2140L

AOT2140L/AOB2140L TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:373K  aosemi
aot2140l.pdfpdf_icon

AOT2140L

AOT2140L/AOB2140L TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:259K  inchange semiconductor
aot2140l.pdfpdf_icon

AOT2140L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT2140L FEATURES Drain Current I = 195A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 8.1. Size:320K  1
aot2144l aob2144l.pdfpdf_icon

AOT2140L

AOT2144L/AOB2144L 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 120 A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONS66406, AONS66916, AOSD62666E, AOSP21307, AOSP21357, AOSP32314, AOSP32368, AOSP66406, 5N60, AOT2142L, AOT2146L, AOT2502L, AOT2904, AOT2906, AOTF190A60L, AOTF20C60P, AOTF2142L