AOTF286L
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AOTF286L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.3
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 56
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175
°C
trⓘ -
Время нарастания: 29
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 435
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006
Ohm
Тип корпуса:
TO220F
AOTF286L
Datasheet (PDF)
..1. Size:242K aosemi
aotf286l.pdf AOTF286L80V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 80V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 56A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
..2. Size:236K inchange semiconductor
aotf286l.pdf isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF286LFEATURESDrain Current I = 56A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 80V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 6.0m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgene
8.1. Size:363K aosemi
aotf288l.pdf AOT288L/AOB288L/AOTF288L80V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOT288L & AOB288L & AOTF288L uses trench 80VMOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 46A / 43Athe most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)
8.2. Size:488K aosemi
aotf280a60l.pdf AOTF280A60L/AOT280A60L/AOB280A60LTM600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 56A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
8.3. Size:236K inchange semiconductor
aotf288l.pdf isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF288LFEATURESDrain Current I = 46A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 80V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.2m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgene
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.