AP75N07AGP - описание и поиск аналогов

 

AP75N07AGP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP75N07AGP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AP75N07AGP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP75N07AGP даташит

 ..1. Size:153K  ape
 ap75n07agp.pdf pdf_icon

AP75N07AGP

AP75N07AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low Gate Charge BVDSS 75V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 80A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description AP75N07A series are from Advanced Power i

 0.1. Size:93K  ape
 ap75n07agp-hf.pdf pdf_icon

AP75N07AGP

AP75N07AGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low Gate Charge BVDSS 75V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 80A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rug

 7.1. Size:95K  ape
 ap75n07gi-hf.pdf pdf_icon

AP75N07AGP

AP75N07GI-HF RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS 75V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 43A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching

 7.2. Size:126K  ape
 ap75n07gw.pdf pdf_icon

AP75N07AGP

AP75N07GW RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low Gate Charge BVDSS 75V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 90A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOW296 , AOWF296 , AOWF190A60 , AOY2610E , AP92T12GP , AP95T10GP , AP97T07GP , AP9970GW , K2611 , AP75N07GP , AP75N07GS , AP85T10GP , AP95T07AGP , AP95T07GP , AP9970AGP , AP9581GP , AP9581GS .

History: 2SJ154 | APT1001RBVFR | UPA1724

 

 

 

 

↑ Back to Top
.