Справочник MOSFET. AP75N07GP

 

AP75N07GP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP75N07GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   trⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP75N07GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  ape
 ap75n07gp.pdf pdf_icon

AP75N07GP

AP75N07GS/P-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFETD Low Gate Charge BVDSS 75V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 80AG Halogen Free & RoHS CompliantSDescriptionAP75N07 series are from Advanced Power innovated

 6.1. Size:95K  ape
 ap75n07gi-hf.pdf pdf_icon

AP75N07GP

AP75N07GI-HFRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS 75V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 43AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching

 6.2. Size:126K  ape
 ap75n07gw.pdf pdf_icon

AP75N07GP

AP75N07GWRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low Gate Charge BVDSS 75V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 90AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance and

 6.3. Size:192K  ape
 ap75n07gs p.pdf pdf_icon

AP75N07GP

AP75N07GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low Gate Charge BVDSS 75V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 80AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching, TO-220(P)DSruggedized device design,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: GFB50N03 | SSM6N16FE | SM9989DSO | NTMFSC0D9N04CL | IRC7405 | SUP90N15-18P | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.