AP98T06GS - описание и поиск аналогов

 

AP98T06GS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP98T06GS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AP98T06GS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP98T06GS даташит

 ..1. Size:165K  ape
ap98t06gs.pdfpdf_icon

AP98T06GS

AP98T06GS-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower Gate Charge RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID 80A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP98T06 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest p

 0.1. Size:92K  ape
ap98t06gs-hf.pdfpdf_icon

AP98T06GS

AP98T06GS-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower Gate Charge RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID 80A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S

 6.1. Size:93K  ape
ap98t06gp.pdfpdf_icon

AP98T06GS

AP98T06GP RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower Gate Charge RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID 80A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on-resistanc

 6.2. Size:54K  ape
ap98t06gp-hf.pdfpdf_icon

AP98T06GS

AP98T06GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower Gate Charge RDS(ON) 5m Fast Switching Characteristic ID 80A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

Другие MOSFET... AP85T10GP , AP95T07AGP , AP95T07GP , AP9970AGP , AP9581GP , AP9581GS , AP9591GP , AP9591GS , IRF3205 , AP09N90CW , AP3990R , AP16N50P , AP80T10GP , AP80T10GR , AP09N70R-A , AP3989R , AP98T03GS .

History: NTMD4840N | 2SK3917-01MR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.