AP16N50P - описание и поиск аналогов

 

AP16N50P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP16N50P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AP16N50P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP16N50P даташит

 ..1. Size:151K  ape
 ap16n50p.pdf pdf_icon

AP16N50P

AP16N50P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP16N50 series are from Advanced Power innovated

 0.1. Size:59K  ape
 ap16n50p-hf.pdf pdf_icon

AP16N50P

AP16N50P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

 7.1. Size:58K  ape
 ap16n50i-hf.pdf pdf_icon

AP16N50P

AP16N50I-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

 7.2. Size:59K  ape
 ap16n50w-hf.pdf pdf_icon

AP16N50P

AP16N50W-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9970AGP , AP9581GP , AP9581GS , AP9591GP , AP9591GS , AP98T06GS , AP09N90CW , AP3990R , 20N60 , AP80T10GP , AP80T10GR , AP09N70R-A , AP3989R , AP98T03GS , AP75T10BGP , AP75T10GP , AP75T12GP .

History: AGM655D | MTB028N10QNCQ8 | H10N60F | SVT068R5NT | IRLML5203PBF | 2SK3915-01MR | ME4454

 

 

 

 

↑ Back to Top
.