Справочник MOSFET. AP9972AGP

 

AP9972AGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP9972AGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
   Общий заряд затвора (Qg): 49 nC
   Время нарастания (tr): 80 ns
   Выходная емкость (Cd): 290 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для AP9972AGP

 

 

AP9972AGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  ape
ap9972agp.pdf

AP9972AGP
AP9972AGP

AP9972AGP-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9972A series are from Advanced Power innovated desi

 0.1. Size:95K  ape
ap9972agp-hf.pdf

AP9972AGP
AP9972AGP

AP9972AGP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Single Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized devi

 6.1. Size:95K  ape
ap9972agr-hf.pdf

AP9972AGP
AP9972AGP

AP9972AGR-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized devic

 6.2. Size:95K  ape
ap9972agi.pdf

AP9972AGP
AP9972AGP

AP9972AGIRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Single Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 32AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design,Glow on-resistance and

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top