Справочник MOSFET. AP09N20J

 

AP09N20J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP09N20J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP09N20J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP09N20J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  ape
 ap09n20j.pdf pdf_icon

AP09N20J

AP09N20H/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200VD Low On-resistance RDS(ON) 380m Fast Switching Characteristics ID 8.6A RoHS CompliantGSDescriptionAP09N20 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possibl

 7.1. Size:238K  ape
 ap09n20h.pdf pdf_icon

AP09N20J

AP09N20H/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200VD Low On-resistance RDS(ON) 380m Fast Switching Characteristics ID 8.6A RoHS CompliantGSDescriptionAP09N20 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possibl

 7.2. Size:93K  ape
 ap09n20bgh-hf.pdf pdf_icon

AP09N20J

AP09N20BGH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200VD Lower Gate Charge RDS(ON) 460m Fast Switching Characteristics ID 7.8A RoHS Compliant & Halogen-FreeGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDSTO-252(H)designer with the best combination of f

 7.3. Size:216K  ape
 ap09n20h j-hf.pdf pdf_icon

AP09N20J

AP09N20H/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200VD Low On-resistance RDS(ON) 380m Fast Switching Characteristics ID 8.6A RoHS CompliantGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withGDSTO-252(H)the best combination of fast switching,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9972GP , AP9972GS , AP18T20GH , AP80N03GP , AP86T02GH , AP86T02GJ , AP86T02GJB , AP09N20H , IRLB4132 , AP70T15GI , AP02N90P , AP72T02GH , AP83T03GJ , AP95T10GI , AP04N60J , APS04N60H , AP03N70H .

History: 8N80G-TF3-T | HY050N08C2 | MCU09N20 | STF28NM60ND | VBL1632 | IPP60R385CP | BRCS050N04YB

 

 
Back to Top

 


 
.