AP3P9R0JB - описание и поиск аналогов

 

AP3P9R0JB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP3P9R0JB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO251S

Аналог (замена) для AP3P9R0JB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3P9R0JB даташит

 ..1. Size:57K  ape
 ap3p9r0jb.pdf pdf_icon

AP3P9R0JB

AP3P9R0JB Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest po

 6.1. Size:58K  ape
 ap3p9r0j.pdf pdf_icon

AP3P9R0JB

AP3P9R0J Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design and silicon G D S TO-251(J) process technology to ach

 7.1. Size:59K  ape
 ap3p9r0p.pdf pdf_icon

AP3P9R0JB

AP3P9R0P Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest pos

 7.2. Size:59K  ape
 ap3p9r0i.pdf pdf_icon

AP3P9R0JB

AP3P9R0I Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -48A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest poss

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP83T03GJ , AP95T10GI , AP04N60J , APS04N60H , AP03N70H , AP03N70J , AP3P9R0H , AP3P9R0J , 10N65 , AP3P9R0P , AP6679BGH , AP6679BGJ , AP6679BGJB , AP9561GJ , AP70T03GJ , AP70T03GJB , AP16N50I .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.