Справочник MOSFET. AP3P9R0JB

 

AP3P9R0JB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3P9R0JB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO251S
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3P9R0JB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  ape
 ap3p9r0jb.pdf pdf_icon

AP3P9R0JB

AP3P9R0JBHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest po

 6.1. Size:58K  ape
 ap3p9r0j.pdf pdf_icon

AP3P9R0JB

AP3P9R0JHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design and silicon GDSTO-251(J)process technology to ach

 7.1. Size:59K  ape
 ap3p9r0p.pdf pdf_icon

AP3P9R0JB

AP3P9R0PHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest pos

 7.2. Size:59K  ape
 ap3p9r0i.pdf pdf_icon

AP3P9R0JB

AP3P9R0IHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -48AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP3P9R0 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest poss

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP83T03GJ , AP95T10GI , AP04N60J , APS04N60H , AP03N70H , AP03N70J , AP3P9R0H , AP3P9R0J , IRF830 , AP3P9R0P , AP6679BGH , AP6679BGJ , AP6679BGJB , AP9561GJ , AP70T03GJ , AP70T03GJB , AP16N50I .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.