Справочник MOSFET. AP6679BGJ

 

AP6679BGJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6679BGJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP6679BGJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6679BGJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  ape
 ap6679bgj.pdf pdf_icon

AP6679BGJ

AP6679BGH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP6679B series are from Advanced Power innovated design and siliconGDprocess technology to achieve th

 0.1. Size:98K  ape
 ap6679bgh-hf ap6679bgj-hf.pdf pdf_icon

AP6679BGJ

AP6679BGH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,

 0.2. Size:134K  ape
 ap6679bgjb.pdf pdf_icon

AP6679BGJ

AP6679BGJB-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP6679B series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest

 6.1. Size:95K  ape
 ap6679bgm-hf.pdf pdf_icon

AP6679BGJ

AP6679BGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDD Lower On-resistance D RDS(ON) 9mD Fast Switching Characteristic ID -13.5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APS04N60H , AP03N70H , AP03N70J , AP3P9R0H , AP3P9R0J , AP3P9R0JB , AP3P9R0P , AP6679BGH , IRFZ46N , AP6679BGJB , AP9561GJ , AP70T03GJ , AP70T03GJB , AP16N50I , AP0904GH , AP0904GJB , AP75T10GI .

History: NVH4L040N120SC1 | DAMH300N150 | IRHSNA57064 | IRFS254B | P2206BEA | TPAO5404EL

 

 
Back to Top

 


 
.