AP6679BGJ - описание и поиск аналогов

 

AP6679BGJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6679BGJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP6679BGJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6679BGJ даташит

 ..1. Size:166K  ape
 ap6679bgj.pdf pdf_icon

AP6679BGJ

AP6679BGH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP6679B series are from Advanced Power innovated design and silicon G D process technology to achieve th

 0.1. Size:98K  ape
 ap6679bgh-hf ap6679bgj-hf.pdf pdf_icon

AP6679BGJ

AP6679BGH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching,

 0.2. Size:134K  ape
 ap6679bgjb.pdf pdf_icon

AP6679BGJ

AP6679BGJB-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP6679B series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest

 6.1. Size:95K  ape
 ap6679bgm-hf.pdf pdf_icon

AP6679BGJ

AP6679BGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D Lower On-resistance D RDS(ON) 9m D Fast Switching Characteristic ID -13.5A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APS04N60H , AP03N70H , AP03N70J , AP3P9R0H , AP3P9R0J , AP3P9R0JB , AP3P9R0P , AP6679BGH , SI2302 , AP6679BGJB , AP9561GJ , AP70T03GJ , AP70T03GJB , AP16N50I , AP0904GH , AP0904GJB , AP75T10GI .

History: AP9970GK | AP6905GH-HF | AP5322GM | AP2N1K2EN1 | AP6985GN2-HF | CJK3400AH | AP6900GH-HF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.