AP16N50I - описание и поиск аналогов

 

AP16N50I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP16N50I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP16N50I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP16N50I даташит

 ..1. Size:171K  ape
 ap16n50i.pdf pdf_icon

AP16N50I

AP16N50I-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID3 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP16N50 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest

 0.1. Size:58K  ape
 ap16n50i-hf.pdf pdf_icon

AP16N50I

AP16N50I-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

 7.1. Size:151K  ape
 ap16n50p.pdf pdf_icon

AP16N50I

AP16N50P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP16N50 series are from Advanced Power innovated

 7.2. Size:59K  ape
 ap16n50w-hf.pdf pdf_icon

AP16N50I

AP16N50W-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.4 Fast Switching Characteristic ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3P9R0JB , AP3P9R0P , AP6679BGH , AP6679BGJ , AP6679BGJB , AP9561GJ , AP70T03GJ , AP70T03GJB , IRF2807 , AP0904GH , AP0904GJB , AP75T10GI , AP60T03GH , AP01N60J , AP9563GH , AP9563GJ , AP9971GP .

History: AP99T03GS | MTP2N50 | AP2604GY | AP3P090N | 2SK2371

 

 

 

 

↑ Back to Top
.