Справочник MOSFET. AP9987GJV

 

AP9987GJV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9987GJV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO251VS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9987GJV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  ape
 ap9987gjv.pdf pdf_icon

AP9987GJV

AP9987GJVHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Performance ID 15AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9987 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible o

 6.1. Size:198K  ape
 ap9987gj.pdf pdf_icon

AP9987GJV

AP9987GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Performance ID 15AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9987 series are from Advanced Power innovated design and siliconGDSprocess technology to achieve the lowe

 6.2. Size:97K  ape
 ap9987gh-hf ap9987gj-hf.pdf pdf_icon

AP9987GJV

AP9987GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 80V Simple Drive Requirement RDS(ON) 90m Fast Switching Performance ID 15AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9987 series are from Advanced Power innovated design and siliconGDSprocess technology to achieve the lowe

 6.3. Size:831K  cn vbsemi
 ap9987gj.pdf pdf_icon

AP9987GJV

AP9987GJwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature0.115 at VGS = 10 V 15 100 % Rg Tested1000.120 at VGS = 6 V 15APPLICATIONS Primary Side SwitchTO-251DGSG D SN-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9971GP , AP9971GS , AP40T10GI , AP2764AI-A , AP20N15GI , AP9567GH , AP9987GH , AP9987GJ , IRLZ44N , AP9997AGH , AP4407I , AP02N40H , AP04N70BI-H , AP2762IN-A , AP3990I , AP40P03GI , AP9971GI .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.