AP04N70BI-H - описание и поиск аналогов

 

AP04N70BI-H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP04N70BI-H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP04N70BI-H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP04N70BI-H даташит

 ..1. Size:224K  ape
 ap04n70bi-h.pdf pdf_icon

AP04N70BI-H

AP04N70BI-H-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 700V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID4 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP04N70B series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the l

 0.1. Size:70K  ape
 ap04n70bi-hf.pdf pdf_icon

AP04N70BI-H

AP04N70BI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedi

 0.2. Size:108K  ape
 ap04n70bi-h-hf.pdf pdf_icon

AP04N70BI-H

AP04N70BI-H-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 700V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D

 4.1. Size:105K  ape
 ap04n70bi-a.pdf pdf_icon

AP04N70BI-H

AP04N70BI-A RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.4 Simple Drive Requirement ID 4A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP20N15GI , AP9567GH , AP9987GH , AP9987GJ , AP9987GJV , AP9997AGH , AP4407I , AP02N40H , EMB04N03H , AP2762IN-A , AP3990I , AP40P03GI , AP9971GI , AP9972GI , AP01L60H , AP01L60J , AP03N70I .

History: AP2762IN-A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.