AP9972GI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP9972GI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для AP9972GI
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP9972GI даташит
ap9972gi.pdf
AP9972GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 18m Lower On-resistance ID 35A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design
ap9972gi-hf.pdf
AP9972GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 18m Lower On-resistance ID 35A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G D S ruggedized dev
ap9972gs.pdf
AP9972GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 60A G S Description AP9972 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th
ap9972gp.pdf
AP9972GS/P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 60A G S Description AP9972 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th
Другие MOSFET... AP9997AGH , AP4407I , AP02N40H , AP04N70BI-H , AP2762IN-A , AP3990I , AP40P03GI , AP9971GI , 60N06 , AP01L60H , AP01L60J , AP03N70I , AP9578GH , AP9870GH , AP9962AGP , AP9973GH , AP9973GJ .
History: LSC65R180GF | AP80N03GP | AOTF4N60L
History: LSC65R180GF | AP80N03GP | AOTF4N60L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563








