Справочник MOSFET. AP9973GH

 

AP9973GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9973GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP9973GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9973GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  ape
ap9973gh.pdfpdf_icon

AP9973GH

AP9973GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9973 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible

 0.1. Size:98K  ape
ap9973gh-hf ap9973gj-hf.pdfpdf_icon

AP9973GH

AP9973GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,STO-252(H)

 7.1. Size:60K  ape
ap9973gd.pdfpdf_icon

AP9973GH

AP9973GDPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS 60VD2D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 80mD1 PDIP-8 Package ID 3.9A RoHS CompliantG2S2PDIP-8G1S1DescriptionD2D1The Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ru

 7.2. Size:62K  ape
ap9973gp ap9973gs.pdfpdf_icon

AP9973GH

AP9973GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Single Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14AGSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching, DSTO-263(S)ruggedized device design, low o

Другие MOSFET... AP9971GI , AP9972GI , AP01L60H , AP01L60J , AP03N70I , AP9578GH , AP9870GH , AP9962AGP , IRF840 , AP9973GJ , AP15N03GH , AP03N90I , AP3310GH , AP6679BMT , AP02N60I-A , AP9977GJV , AP20T03GH .

History: OSS65R340JF | 2SK1563 | 2SK1180 | ME120N10T-G

 

 
Back to Top

 


 
.