AP9973GH. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP9973GH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AP9973GH
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP9973GH даташит
ap9973gh.pdf
AP9973GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9973 series are from Advanced Power innovated design and silicon G process technology to achieve the lowest possible
ap9973gh-hf ap9973gj-hf.pdf
AP9973GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching, S TO-252(H)
ap9973gd.pdf
AP9973GD Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D2 Low Gate Charge BVDSS 60V D2 D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 80m D1 PDIP-8 Package ID 3.9A RoHS Compliant G2 S2 PDIP-8 G1 S1 Description D2 D1 The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ru
ap9973gp ap9973gs.pdf
AP9973GS/P RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60V D Single Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G designer with the best combination of fast switching, D S TO-263(S) ruggedized device design, low o
Другие MOSFET... AP9971GI , AP9972GI , AP01L60H , AP01L60J , AP03N70I , AP9578GH , AP9870GH , AP9962AGP , IRF840 , AP9973GJ , AP15N03GH , AP03N90I , AP3310GH , AP6679BMT , AP02N60I-A , AP9977GJV , AP20T03GH .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031








