Справочник MOSFET. AP9973GJ

 

AP9973GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9973GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP9973GJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9973GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  ape
ap9973gj.pdfpdf_icon

AP9973GJ

AP9973GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9973 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible

 ..2. Size:822K  cn vbsemi
ap9973gj.pdfpdf_icon

AP9973GJ

AP9973GJwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.032 at VGS = 10 V35d TrenchFET Power MOSFET60 21.70.037 at VGS = 4.5 V30d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power SupplyDTO-251- Secondar

 0.1. Size:98K  ape
ap9973gh-hf ap9973gj-hf.pdfpdf_icon

AP9973GJ

AP9973GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Single Drive Requirement RDS(ON) 80m Surface Mount Package ID 14AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,STO-252(H)

 7.1. Size:60K  ape
ap9973gd.pdfpdf_icon

AP9973GJ

AP9973GDPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS 60VD2D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 80mD1 PDIP-8 Package ID 3.9A RoHS CompliantG2S2PDIP-8G1S1DescriptionD2D1The Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ru

Другие MOSFET... AP9972GI , AP01L60H , AP01L60J , AP03N70I , AP9578GH , AP9870GH , AP9962AGP , AP9973GH , 20N60 , AP15N03GH , AP03N90I , AP3310GH , AP6679BMT , AP02N60I-A , AP9977GJV , AP20T03GH , AP20T03GJ .

History: IXFA230N075T2-7 | AOCR36330 | SSF1020A | 7N10G-AA3 | RFD3055 | WVM25N40

 

 
Back to Top

 


 
.