AP20T03GJ - аналоги и даташиты транзистора

 

AP20T03GJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP20T03GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP20T03GJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP20T03GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  ape
 ap20t03gj.pdf pdf_icon

AP20T03GJ

AP20T03GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 12.5AG RoHS CompliantSDescriptionAP20T03 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-

 6.1. Size:92K  ape
 ap20t03ghj-hf.pdf pdf_icon

AP20T03GJ

AP20T03GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 12.5AG RoHS CompliantSDescriptionGThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialDSTO-252(H)surface mount applications and

 6.2. Size:122K  ape
 ap20t03gt-hf.pdf pdf_icon

AP20T03GJ

AP20T03GT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 3.2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance,

 6.3. Size:238K  ape
 ap20t03gh.pdf pdf_icon

AP20T03GJ

AP20T03GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 12.5AG RoHS CompliantSDescriptionAP20T03 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9973GJ , AP15N03GH , AP03N90I , AP3310GH , AP6679BMT , AP02N60I-A , AP9977GJV , AP20T03GH , IRFP260N , AP4578GH , AP4430GM , AP9420GM , AP9408GM , AP0403GM , AP0603GM , AP0903GM , AP10TN030M .

History: NCEA2301 | IXKG25N80C | 2N80L-TN3-R | VSI008N10MS | NCE82H110D | 2SK3705 | CJK3400AH

 

 
Back to Top

 


 
.