AP4430GM - описание и поиск аналогов

 

AP4430GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4430GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4430GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4430GM даташит

 ..1. Size:167K  ape
ap4430gm.pdfpdf_icon

AP4430GM

AP4430GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Ultra_Low On-resistance BVDSS 35V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.6m D Fast Switching Characteristic ID 20A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP4430 series are

 0.1. Size:93K  ape
ap4430gm-hf.pdfpdf_icon

AP4430GM

AP4430GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Ultra_Low On-resistance BVDSS 35V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.6m D Fast Switching Characteristic ID 20A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination

 7.1. Size:249K  ape
ap4430gem.pdfpdf_icon

AP4430GM

AP4430GEM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 4m D D Low On-resistance ID 20A G S S S SO-8 Description D G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,ruggedized device de

 9.1. Size:95K  ape
ap4438cgm-hf.pdfpdf_icon

AP4430GM

AP4438CGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5m D Fast Switching Characteristic ID 11.8A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination o

Другие MOSFET... AP03N90I , AP3310GH , AP6679BMT , AP02N60I-A , AP9977GJV , AP20T03GH , AP20T03GJ , AP4578GH , IRF640N , AP9420GM , AP9408GM , AP0403GM , AP0603GM , AP0903GM , AP10TN030M , AP10TN135M , AP15P15GM .

History: STF12PF06 | STF140N8F7 | AP2530GY | AP99T03GP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.