Справочник MOSFET. AP4430GM

 

AP4430GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4430GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP4430GM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4430GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  ape
ap4430gm.pdfpdf_icon

AP4430GM

AP4430GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Ultra_Low On-resistance BVDSS 35VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.6mD Fast Switching Characteristic ID 20AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP4430 series are

 0.1. Size:93K  ape
ap4430gm-hf.pdfpdf_icon

AP4430GM

AP4430GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Ultra_Low On-resistance BVDSS 35VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.6mD Fast Switching Characteristic ID 20AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination

 7.1. Size:249K  ape
ap4430gem.pdfpdf_icon

AP4430GM

AP4430GEMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 4mDD Low On-resistance ID 20AGSSSSO-8DescriptionDGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerwith the best combination of fast switching,ruggedized devicede

 9.1. Size:95K  ape
ap4438cgm-hf.pdfpdf_icon

AP4430GM

AP4438CGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5mD Fast Switching Characteristic ID 11.8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination o

Другие MOSFET... AP03N90I , AP3310GH , AP6679BMT , AP02N60I-A , AP9977GJV , AP20T03GH , AP20T03GJ , AP4578GH , IRF630 , AP9420GM , AP9408GM , AP0403GM , AP0603GM , AP0903GM , AP10TN030M , AP10TN135M , AP15P15GM .

History: BLF278 | FMH30N60S1 | FQD19N10L

 

 
Back to Top

 


 
.