Справочник MOSFET. AP6N021M

 

AP6N021M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6N021M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP6N021M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N021M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  ape
 ap6n021m.pdf pdf_icon

AP6N021M

AP6N021MHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 60VDD Simple Drive Requirement D RDS(ON) 21mD Fast Switching Characteristic ID3 7.8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8Description DAP6N021 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to

 8.1. Size:241K  ape
 ap6n023h.pdf pdf_icon

AP6N021M

AP6N023HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower Gate Charge RDS(ON) 23m Fast Switching Characteristic ID 25.4AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionGAP4604 seriesare from Advanced Power innovated designAP6N023series arefrom Advanced Power innovated

 9.1. Size:178K  ape
 ap6n090k.pdf pdf_icon

AP6N021M

AP6N090KHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mS Fast Switching Characteristic ID3 4.1AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 9.2. Size:171K  ape
 ap6n090g.pdf pdf_icon

AP6N021M

AP6N090GHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m Simple Drive Requirement ID 2.7AS RoHS Compliant & Halogen-FreeDSOT-89GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4407GM , AP4423GM , AP4426GM , AP4438CGM , AP4453M , AP4800GEM , AP4P018M , AP6679BGM , 4435 , AP6N090M , AP6P025M , AP6P090M , AP9408AGM , AP9410AGM , AP9434GM , AP9467AGM , AP9467GM .

History: CS4N100VF | AUIRFS4310TRL | MRF5007 | DH100P35E

 

 
Back to Top

 


 
.