AP6N090M. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP6N090M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP6N090M
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP6N090M даташит
ap6n090k.pdf
AP6N090K Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Lower Gate Charge RDS(ON) 90m S Fast Switching Characteristic ID3 4.1A D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G Description D AP6N090 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve
ap6n090g.pdf
AP6N090G Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m Simple Drive Requirement ID 2.7A S RoHS Compliant & Halogen-Free D SOT-89 G Description D AP6N090 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the
ap6n090y.pdf
AP6N090Y Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement S BVDSS 60V D Lower Gate Charge RDS(ON) 90m D Fast Switching Characteristic ID3 3.5A G D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26 D Description D AP6N090 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achi
ap6n090n.pdf
AP6N090N Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID 2.5A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G Description D AP6N090 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowes
Другие MOSFET... AP4423GM , AP4426GM , AP4438CGM , AP4453M , AP4800GEM , AP4P018M , AP6679BGM , AP6N021M , IRF1010E , AP6P025M , AP6P090M , AP9408AGM , AP9410AGM , AP9434GM , AP9467AGM , AP9467GM , AP9470GM .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet




