AP9475GM - описание и поиск аналогов

 

AP9475GM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9475GM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP9475GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9475GM даташит

 ..1. Size:169K  ape
ap9475gm.pdfpdf_icon

AP9475GM

AP9475GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m D Fast Switching Characteristic ID 6.9A G S S RoHS Compliant & Halogen-Free S SO-8 Description D AP9475 series are from A

 0.1. Size:94K  ape
ap9475gm-hf.pdfpdf_icon

AP9475GM

AP9475GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m D Fast Switching Characteristic ID 6.9A G S S RoHS Compliant & Halogen-Free S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

 9.1. Size:217K  ape
ap9476gm.pdfpdf_icon

AP9475GM

AP9476GM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 60V D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 21m D D Fast Switching Characteristic ID 7.8A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desi

 9.2. Size:69K  ape
ap9477gm.pdfpdf_icon

AP9475GM

AP9477GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D D Lower Gate Charge RDS(ON) 90m D D Fast Switching Characteristic ID 4A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best co

Другие MOSFET... AP6P025M , AP6P090M , AP9408AGM , AP9410AGM , AP9434GM , AP9467AGM , AP9467GM , AP9470GM , TK10A60D , AP9479GM , AP9487GM , AP9563GM , AP9620AGM , AP9620GM , AP9685GM , AP10A185M , AP10C150M .

History: AP4024EM | AP2045Q

 

 

 

 

↑ Back to Top
.