AP9563GM - аналоги и даташиты транзистора

 

AP9563GM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP9563GM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для AP9563GM

 

AP9563GM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  ape
 ap9563gm.pdf pdf_icon

AP9563GM

AP9563GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m D Fast Switching Characteristic ID -6A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP9563 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology

 0.1. Size:57K  ape
 ap9563gm-hf.pdf pdf_icon

AP9563GM

AP9563GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m D Fast Switching Characteristic ID -6A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

 7.1. Size:99K  ape
 ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdf pdf_icon

AP9563GM

AP9563GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26A G RoHS Compliant S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, r

 7.2. Size:235K  ape
 ap9563gh.pdf pdf_icon

AP9563GM

AP9563GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26A G RoHS Compliant S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, r

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9410AGM , AP9434GM , AP9467AGM , AP9467GM , AP9470GM , AP9475GM , AP9479GM , AP9487GM , 4N60 , AP9620AGM , AP9620GM , AP9685GM , AP10A185M , AP10C150M , AP2C018LM , AP2C030LM , AP2P028EM .

 

 
Back to Top

 


 
.