AP9563GM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP9563GM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP9563GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9563GM даташит

 ..1. Size:178K  ape
 ap9563gm.pdf pdf_icon

AP9563GM

AP9563GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m D Fast Switching Characteristic ID -6A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP9563 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology

 0.1. Size:57K  ape
 ap9563gm-hf.pdf pdf_icon

AP9563GM

AP9563GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 40m D Fast Switching Characteristic ID -6A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fa

 7.1. Size:99K  ape
 ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdf pdf_icon

AP9563GM

AP9563GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26A G RoHS Compliant S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, r

 7.2. Size:235K  ape
 ap9563gh.pdf pdf_icon

AP9563GM

AP9563GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26A G RoHS Compliant S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, r

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP9410AGM, AP9434GM, AP9467AGM, AP9467GM, AP9470GM, AP9475GM, AP9479GM, AP9487GM, 4N60, AP9620AGM, AP9620GM, AP9685GM, AP10A185M, AP10C150M, AP2C018LM, AP2C030LM, AP2P028EM