AP3A010AM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP3A010AM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.8 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0104 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP3A010AM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3A010AM даташит

 ..1. Size:179K  ape
 ap3a010am.pdf pdf_icon

AP3A010AM

AP3A010AM Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement BVDSS 30V D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 10.4m D1 Fast Switching Performance ID 10.8A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP3A010A series are from Advanced Power innovated design D2 D1 and silicon

 0.1. Size:140K  ape
 ap3a010amt.pdf pdf_icon

AP3A010AM

AP3A010AMT Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement BVDSS 30V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10.4m RoHS Compliant & Halogen-Free D1 D1 D2 Description D2 S1 G1 S2 G2 AP3A010A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th

 7.1. Size:66K  ape
 ap3a010mt.pdf pdf_icon

AP3A010AM

AP3A010MT Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement BVDSS 30V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10.5m RoHS Compliant & Halogen-Free D1 D1 D2 Description D2 S1 G1 S2 G2 AP3A010 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the

 9.1. Size:143K  ape
 ap3a020y.pdf pdf_icon

AP3A010AM

AP3A020Y Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement BVDSS 30V D2 Low Gate Charge RDS(ON) 20m D1 D1 G2 Fast Switching Performance ID3 6.5A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 2928-8 Description AP3A020 series are from Advanced Power innovated design D2 D1 and silicon pro

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP10A185M, AP10C150M, AP2C018LM, AP2C030LM, AP2P028EM, AP36016M, AP3700M, AP38028EM, IRF2807, AP3B026M, AP3C010M, AP4224LGM, AP4232GM, AP4503AGEM, AP4506GEM, AP4509GM, AP4511GM