AP4224LGM - аналоги и даташиты транзистора

 

AP4224LGM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP4224LGM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для AP4224LGM

 

AP4224LGM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  ape
ap4224lgm.pdfpdf_icon

AP4224LGM

AP4224LGM Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 20V D2 D2 D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 24m D1 Dual N MOSFET Package ID 7.1A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP4224 series are from Advanced Power innovated design and D2 D1 silicon process

 0.1. Size:74K  ape
ap4224lgm-hf-pre.pdfpdf_icon

AP4224LGM

AP4224LGM-HF Preliminary Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 20V D2 D2 D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 14m D1 Dual N MOSFET Package ID 10A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer D2 D1 with the best combination of

 8.1. Size:95K  ape
ap4224gm-hf.pdfpdf_icon

AP4224LGM

AP4224GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 14m D1 Dual N MOSFET Package ID 10A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best combinat

 8.2. Size:96K  ape
ap4224gm.pdfpdf_icon

AP4224LGM

AP4224GM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30V D2 D2 Simple Drive Requirement RDS(ON) 14m D1 D1 Dual N MOSFET Package ID 10A G2 RoHS Compliant S2 G1 SO-8 S1 Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D2 D1 designer with the best combination of fast swit

Другие MOSFET... AP2C030LM , AP2P028EM , AP36016M , AP3700M , AP38028EM , AP3A010AM , AP3B026M , AP3C010M , 2N60 , AP4232GM , AP4503AGEM , AP4506GEM , AP4509GM , AP4511GM , AP4513GM , AP4525GEM , AP4532GM .

 

 
Back to Top

 


 
.