AP4503AGEM datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP4503AGEM 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: SO8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP4503AGEM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP4503AGEM даташит
ap4503agem.pdf
AP4503AGEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Lower Gate Charge RDS(ON) 26m D1 D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON)
ap4503agem-hf.pdf
AP4503AGEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Lower Gate Charge RDS(ON) 26m D1 D1 Fast Switching Performance ID 7A G2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON) 52m Description ID -5A AP4503A series are from Advanced Po
ap4503agm-hf.pdf
AP4503AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement D2 N-CH BVDSS 30V D2 Low On-resistance D1 RDS(ON) 28m D1 Fast Switching Performance ID 6.9A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 36m Description ID -6.3A Advanced Power MOSFETs from APEC p
ap4503bgo-hf.pdf
AP4503BGO-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement G2 N-CH BVDSS 30V S2 S2 D2 Lower Gate Charge RDS(ON) 23m G1 Fast Switching Performance S1 ID 6.3A S1 TSSOP-8 D1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V RDS(ON) 35m Description ID -5.2A Advanced Power MOSFETs from APEC
Другие IGBT... AP36016M, AP3700M, AP38028EM, AP3A010AM, AP3B026M, AP3C010M, AP4224LGM, AP4232GM, P60NF06, AP4506GEM, AP4509GM, AP4511GM, AP4513GM, AP4525GEM, AP4532GM, AP4533GEM, AP4578GM
History: MTB20A06Q8 | AP80N08NF | AP8G04S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312








