AP4513GM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4513GM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4513GM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4513GM даташит

 ..1. Size:200K  ape
 ap4513gm.pdf pdf_icon

AP4513GM

AP4513GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 36m D1 D1 Fast Switching Performance ID 5.8A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35V G1 S1 SO-8 RDS(ON)

 0.1. Size:119K  ape
 ap4513gm-hf.pdf pdf_icon

AP4513GM

AP4513GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 36m D1 D1 Fast Switching Performance ID 5.8A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -35V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 68m Description ID -4.3A The Advanced Power MOSFETs from A

 7.1. Size:152K  ape
 ap4513gh-a.pdf pdf_icon

AP4513GM

AP4513GH-A RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 32m Fast Switching Performance ID 7.7A S1 G1 P-CH BVDSS -35V S2 G2 RDS(ON) 68m TO-252-4L Description ID -5.5A The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with

 7.2. Size:168K  ape
 ap4513gh.pdf pdf_icon

AP4513GM

AP4513GH RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 35V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 42m Fast Switching Performance ID 10A S1 G1 P-CH BVDSS -35V S2 G2 RDS(ON) 75m TO-252-4L Description ID -8A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP3B026M, AP3C010M, AP4224LGM, AP4232GM, AP4503AGEM, AP4506GEM, AP4509GM, AP4511GM, STP65NF06, AP4525GEM, AP4532GM, AP4533GEM, AP4578GM, AP4963GEM, AP5322GM, AP6A100M, AP6C036M