Справочник MOSFET. AP10TN135K

 

AP10TN135K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP10TN135K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для AP10TN135K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10TN135K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  ape
 ap10tn135k.pdf pdf_icon

AP10TN135K

AP10TN135KHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 135m Fast Switching Characteristic ID 3AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDescriptionDAP10TN135 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve

 5.1. Size:201K  ape
 ap10tn135h.pdf pdf_icon

AP10TN135K

AP10TN135HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 135m Fast Switching Characteristic ID 8.1AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP10TN135 series are from Advanced Power innovated design andDSTO-252(H)silicon process technology

 5.2. Size:222K  ape
 ap10tn135m.pdf pdf_icon

AP10TN135K

AP10TN135MHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VDD Fast Switching Characteristic D RDS(ON) 135mD Low Gate Charge ID 3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8Description DAP10TN135 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology t

 5.3. Size:166K  ape
 ap10tn135j.pdf pdf_icon

AP10TN135K

AP10TN135JHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 135m Fast Switching Characteristic ID 8.1AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP10TN135 series are from Advanced Power innovated design andGDSsilicon process technology to achieve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9938GEM , AP9960GM , AP9962AGM , AP9971AGM , AP9971GM , AP9975GM , AP9970GK , AP09T10GK , IRF3205 , AP30T10GK , AP60WN4K9K , AP6N090K , AP6N090LK , AP6P250K , AP04N20GK , APA2N70K , AP18P10GK .

History: 2SK3541MGP | 12N65H | 2SK2741 | 2SK3686-01 | TN2404K | STW37N60DM2AG | STT468A

 

 
Back to Top

 


 
.