AP6P250K. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP6P250K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.78 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для AP6P250K
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP6P250K даташит
ap6p250k.pdf
AP6P250K Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60V D Lower Gate Charge RDS(ON) 250m S Fast Switching Characteristic ID -2.4A D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G D Description AP6P250 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achi
ap6p250n.pdf
AP6P250N Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60V D Small Package Outline RDS(ON) 250m Surface Mount Device ID -1.6A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP6P250N series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the
Другие MOSFET... AP9975GM , AP9970GK , AP09T10GK , AP10TN135K , AP30T10GK , AP60WN4K9K , AP6N090K , AP6N090LK , IRF540 , AP04N20GK , APA2N70K , AP18P10GK , AP70SL1K4BK2 , AP10P500N , AP10TN135N , AP2302AGN , AP2304AGN .
History: AP10TN135N
History: AP10TN135N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent


