Справочник MOSFET. AP6P250K

 

AP6P250K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6P250K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для AP6P250K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6P250K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  ape
 ap6p250k.pdf pdf_icon

AP6P250K

AP6P250KHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 250mS Fast Switching Characteristic ID -2.4AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDDescriptionAP6P250 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achi

 7.1. Size:188K  ape
 ap6p250n.pdf pdf_icon

AP6P250K

AP6P250NHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -60VD Small Package Outline RDS(ON) 250m Surface Mount Device ID -1.6AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23S GDDescriptionAP6P250N series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

Другие MOSFET... AP9975GM , AP9970GK , AP09T10GK , AP10TN135K , AP30T10GK , AP60WN4K9K , AP6N090K , AP6N090LK , IRF540N , AP04N20GK , APA2N70K , AP18P10GK , AP70SL1K4BK2 , AP10P500N , AP10TN135N , AP2302AGN , AP2304AGN .

History: P0460EIS | FIR15N10LG

 

 
Back to Top

 


 
.