AP15TN1R5N - описание и поиск аналогов

 

AP15TN1R5N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP15TN1R5N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: SOT23S

Аналог (замена) для AP15TN1R5N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP15TN1R5N даташит

 ..1. Size:188K  ape
ap15tn1r5n.pdfpdf_icon

AP15TN1R5N

AP15TN1R5N Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 150V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.5 Low Gate Charge ID 0.6A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G Description D AP15TN1R5 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve

 9.1. Size:213K  ape
ap15tp1r0y.pdfpdf_icon

AP15TN1R5N

AP15TP1R0Y Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic S BVDSS -150V D Lower Gate Charge D RDS(ON) 1 Small Footprint & Low Profile Package ID3 -1A G D RoHS Compliant & Halogen-Free D SOT-26 D Description AP15TP1R0 series are from Advanced Power innovated design and silicon process t

 9.2. Size:166K  ape
ap15t15gm.pdfpdf_icon

AP15TN1R5N

AP15T15GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 150V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 150m D Surface Mount Package ID 2.6A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 D Description AP15T15 series are from Advanc

 9.3. Size:94K  ape
ap15t15gh-hf.pdfpdf_icon

AP15TN1R5N

AP15T15GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 150V Lower Gate Charge RDS(ON) 150m Fast Switching Characteristic ID 11.2A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast

Другие MOSFET... AP2328GN , AP2330GN , AP2338GN , AP2344GN , AP2346GN , AP5600N , AP60PN72REN , AP60PN72RLEN , AON7408 , AP2309GEN , AP2321GN , AP2325GEN , AP2N025LN , AP2N030EN , AP2N075EN , AP2P052N , AP2P053N .

History: FDS6982AS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.