Справочник MOSFET. AP2325GEN

 

AP2325GEN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2325GEN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT23S
 

 Аналог (замена) для AP2325GEN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2325GEN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  ape
ap2325gen.pdfpdf_icon

AP2325GEN

AP2325GENHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID - 3AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestGcombination of fast switching,

 0.1. Size:59K  ape
ap2325gen-hf.pdfpdf_icon

AP2325GEN

AP2325GEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20VD Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID - 3AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestGcombination of fast switching,

 6.1. Size:93K  ape
ap2325geu6-hf.pdfpdf_icon

AP2325GEN

AP2325GEU6-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Simple Drive Requirement BVDSS -20VDD Small Package Outline RDS(ON) 145mG Surface Mount Device ID -1.8ADDSOT-363 RoHS Compliant & Halogen-FreeDDescriptionAP2325 series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology

 9.1. Size:94K  ape
ap2328gn-hf.pdfpdf_icon

AP2325GEN

AP2328GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 60m Surface Mount Device ID 4AS Halogen Free & RoHS Compliant ProductSOT-23 GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toGachieve the lowest possible

Другие MOSFET... AP2344GN , AP2346GN , AP5600N , AP60PN72REN , AP60PN72RLEN , AP15TN1R5N , AP2309GEN , AP2321GN , K4145 , AP2N025LN , AP2N030EN , AP2N075EN , AP2P052N , AP2P053N , AP3601N , AP3N028EN , AP3N035N .

History: TPA65R940C | SI4401BDY | ZXMN10A08DN8 | 2SK321 | JCS13AN50BC

 

 
Back to Top

 


 
.