AP2N025LN - описание и поиск аналогов

 

AP2N025LN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2N025LN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOT23S

Аналог (замена) для AP2N025LN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N025LN даташит

 ..1. Size:189K  ape
 ap2n025ln.pdf pdf_icon

AP2N025LN

AP2N025LN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 25m Surface Mount Package ID3 5.7A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2N025L series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the l

 9.1. Size:189K  ape
 ap2n075en.pdf pdf_icon

AP2N025LN

AP2N075EN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 75m Fast Switching Performance ID 3.5A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2N075E series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achiev

 9.2. Size:132K  ape
 ap2n050g.pdf pdf_icon

AP2N025LN

AP2N050G Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Low Gate Charge RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID3 4A S RoHS Compliant & Halogen-Free D SOT-89 G Description D AP2N050 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th

 9.3. Size:210K  ape
 ap2n030ey.pdf pdf_icon

AP2N025LN

AP2N030EY Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 34m D Fast Switching Performance ID3 6.3A G D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26 D D Description AP2N030E series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2346GN , AP5600N , AP60PN72REN , AP60PN72RLEN , AP15TN1R5N , AP2309GEN , AP2321GN , AP2325GEN , IRF9540N , AP2N030EN , AP2N075EN , AP2P052N , AP2P053N , AP3601N , AP3N028EN , AP3N035N , AP3N045EN .

History: STM6913A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.