AP2P053N. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP2P053N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
Тип корпуса: SOT23S
Аналог (замена) для AP2P053N
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP2P053N даташит
ap2p053n.pdf
AP2P053N Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20V D Small Package Outline RDS(ON) 65m Surface Mount Device ID3 -4.2A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2P053 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th
ap2p052n.pdf
AP2P052N Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20V D Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID3 -4A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2P052 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the
ap2p052y.pdf
AP2P052Y Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20V D Small Package Outline RDS(ON) 52m D Surface Mount Device ID -5.1A G D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26 D D Description AP2P052 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to ach
ap2p028em.pdf
AP2P028EM Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20V D D D ESD Diode Protected RDS(ON) 28m D Suit for USB Type-C Application ID -7A G S RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 8KV S S SO-8 Description D AP2P028E series are from Advanced Power innovated design and silicon
Другие MOSFET... AP15TN1R5N , AP2309GEN , AP2321GN , AP2325GEN , AP2N025LN , AP2N030EN , AP2N075EN , AP2P052N , K3569 , AP3601N , AP3N028EN , AP3N035N , AP3N045EN , AP3P080N , AP3P090N , AP6N090N , AP6P250N .
History: SI2101 | AP15N03GH | SGSP462 | AP3N4R5M
History: SI2101 | AP15N03GH | SGSP462 | AP3N4R5M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx




