Справочник MOSFET. AP2P053N

 

AP2P053N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2P053N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
   Тип корпуса: SOT23S
 

 Аналог (замена) для AP2P053N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2P053N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  ape
 ap2p053n.pdf pdf_icon

AP2P053N

AP2P053NHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Package Outline RDS(ON) 65m Surface Mount Device ID3 -4.2AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2P053 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve th

 8.1. Size:156K  ape
 ap2p052n.pdf pdf_icon

AP2P053N

AP2P052NHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20VD Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID3 -4AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2P052 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

 8.2. Size:176K  ape
 ap2p052y.pdf pdf_icon

AP2P053N

AP2P052YHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20VD Small Package Outline RDS(ON) 52mD Surface Mount Device ID -5.1AGD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-26DDDescriptionAP2P052 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to ach

 9.1. Size:186K  ape
 ap2p028em.pdf pdf_icon

AP2P053N

AP2P028EMHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20VDDD ESD Diode Protected RDS(ON) 28mD Suit for USB Type-C Application ID -7AGS RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 8KVSSSO-8DescriptionDAP2P028E series are from Advanced Power innovated designand silicon

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP15TN1R5N , AP2309GEN , AP2321GN , AP2325GEN , AP2N025LN , AP2N030EN , AP2N075EN , AP2P052N , SPP20N60C3 , AP3601N , AP3N028EN , AP3N035N , AP3N045EN , AP3P080N , AP3P090N , AP6N090N , AP6P250N .

History: AP4455GEH-HF | MRF166W | LNH4N80 | PA567JA | 2SK2032

 

 
Back to Top

 


 
.