AP2P053N - описание и поиск аналогов

 

AP2P053N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2P053N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm

Тип корпуса: SOT23S

Аналог (замена) для AP2P053N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2P053N даташит

 ..1. Size:189K  ape
 ap2p053n.pdf pdf_icon

AP2P053N

AP2P053N Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20V D Small Package Outline RDS(ON) 65m Surface Mount Device ID3 -4.2A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2P053 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th

 8.1. Size:156K  ape
 ap2p052n.pdf pdf_icon

AP2P053N

AP2P052N Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20V D Small Package Outline RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID3 -4A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2P052 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the

 8.2. Size:176K  ape
 ap2p052y.pdf pdf_icon

AP2P053N

AP2P052Y Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20V D Small Package Outline RDS(ON) 52m D Surface Mount Device ID -5.1A G D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26 D D Description AP2P052 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to ach

 9.1. Size:186K  ape
 ap2p028em.pdf pdf_icon

AP2P053N

AP2P028EM Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20V D D D ESD Diode Protected RDS(ON) 28m D Suit for USB Type-C Application ID -7A G S RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 8KV S S SO-8 Description D AP2P028E series are from Advanced Power innovated design and silicon

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP15TN1R5N , AP2309GEN , AP2321GN , AP2325GEN , AP2N025LN , AP2N030EN , AP2N075EN , AP2P052N , K3569 , AP3601N , AP3N028EN , AP3N035N , AP3N045EN , AP3P080N , AP3P090N , AP6N090N , AP6P250N .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.