AP3601N - описание и поиск аналогов

 

AP3601N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP3601N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: SOT23S

Аналог (замена) для AP3601N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3601N даташит

 ..1. Size:147K  ape
 ap3601n.pdf pdf_icon

AP3601N

AP3601N Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D Small Package Outline RDS(ON) 95m Surface Mount Device ID -2.9A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP3601 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowe

 8.1. Size:184K  ape
 ap36016m.pdf pdf_icon

AP3601N

AP36016M Halogen-Free Product Advanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D2 D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 18m D1 Fast Switching Characteristic ID -8.7A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 SO-8 S1 Description AP36016 series are from Advanced Power innovated design and silicon D2 D1 p

Другие MOSFET... AP2309GEN , AP2321GN , AP2325GEN , AP2N025LN , AP2N030EN , AP2N075EN , AP2P052N , AP2P053N , IRFP260 , AP3N028EN , AP3N035N , AP3N045EN , AP3P080N , AP3P090N , AP6N090N , AP6P250N , AP2301EN .

History: TK290A65Y | STF13NM60ND | AP9962AGM | AP9962AGP | APM9926K | AP9451GG | AP2N050G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.