AP3601N - аналоги и даташиты транзистора

 

AP3601N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP3601N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: SOT23S
 

 Аналог (замена) для AP3601N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3601N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  ape
 ap3601n.pdf pdf_icon

AP3601N

AP3601NHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Small Package Outline RDS(ON) 95m Surface Mount Device ID -2.9AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23S GDDescriptionAP3601 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe

 8.1. Size:184K  ape
 ap36016m.pdf pdf_icon

AP3601N

AP36016MHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2D1 Low On-resistance RDS(ON) 18mD1 Fast Switching Characteristic ID -8.7AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1SO-8 S1DescriptionAP36016 series are from Advanced Power innovated design and siliconD2D1p

Другие MOSFET... AP2309GEN , AP2321GN , AP2325GEN , AP2N025LN , AP2N030EN , AP2N075EN , AP2P052N , AP2P053N , IRFP260 , AP3N028EN , AP3N035N , AP3N045EN , AP3P080N , AP3P090N , AP6N090N , AP6P250N , AP2301EN .

History: AP30T10GS | AP4959GM

 

 
Back to Top

 


 
.