Справочник MOSFET. AP3N028EN

 

AP3N028EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3N028EN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT23S
 

 Аналог (замена) для AP3N028EN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N028EN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  ape
 ap3n028en.pdf pdf_icon

AP3N028EN

AP3N028ENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Lower Gate Charge RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 5.4AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP3N028E series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve

 6.1. Size:71K  ape
 ap3n028ey.pdf pdf_icon

AP3N028EN

AP3N028EYHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Lower Gate Charge D RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 7AGD RoHS Compliant & Halogen-FreeDSOT-26DDescriptionAP3N028E series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to ach

 8.1. Size:202K  ape
 ap3n020p.pdf pdf_icon

AP3N028EN

AP3N020PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID 23.3AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 seriesare fromAdvanced Power innovated designAP3N020series arefrom Advanced Power innovated de

 9.1. Size:151K  ape
 ap3n035n.pdf pdf_icon

AP3N028EN

AP3N035NHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30VD Lower Gate Charge RDS(ON) 35m Fast Switching Performance ID 4.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP3N035 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2321GN , AP2325GEN , AP2N025LN , AP2N030EN , AP2N075EN , AP2P052N , AP2P053N , AP3601N , 2SK3568 , AP3N035N , AP3N045EN , AP3P080N , AP3P090N , AP6N090N , AP6P250N , AP2301EN , AP2314GN .

History: AON7532E | SSM4500GM | SI2301CDS | HSS3400A | NVD5117PL | DH60N06

 

 
Back to Top

 


 
.