Справочник MOSFET. AP3P090N

 

AP3P090N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3P090N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT23S
 

 Аналог (замена) для AP3P090N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3P090N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  ape
ap3p090n.pdfpdf_icon

AP3P090N

AP3P090NHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID3 -3.1AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP3P090 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

 9.1. Size:191K  ape
ap3p080n.pdfpdf_icon

AP3P090N

AP3P080NHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -30VD Small Package Outline RDS(ON) 80m Surface Mount Device ID -3.2AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP3P080 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

 9.2. Size:206K  ape
ap3p050h.pdfpdf_icon

AP3P090N

AP3P050HHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 50mG Fast Switching Characteristic ID -15A RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP3P050 series are from Advanced Power innovated design and GDSsilicon process technology to achieve the l

 9.3. Size:137K  ape
ap3p010yt.pdfpdf_icon

AP3P090N

AP3P010YTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10m Simple Drive Requirement ID -14.6A RoHS Compliant & Halogen-Free GSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching,

Другие MOSFET... AP2N075EN , AP2P052N , AP2P053N , AP3601N , AP3N028EN , AP3N035N , AP3N045EN , AP3P080N , TK10A60D , AP6N090N , AP6P250N , AP2301EN , AP2314GN , AP2318GEN , AP2320GN , AP6N2K0EN , AP2308GEN .

History: ELM14604AA | OSG80R650PF | BRCS120N06SYM | RJK03M2DPA | P1850EF | PMV60ENEA | DMN67D8LW

 

 
Back to Top

 


 
.