Справочник MOSFET. AP6N090N

 

AP6N090N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6N090N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT23S
 

 Аналог (замена) для AP6N090N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N090N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  ape
 ap6n090n.pdf pdf_icon

AP6N090N

AP6N090NHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID 2.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23S GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowes

 7.1. Size:178K  ape
 ap6n090k.pdf pdf_icon

AP6N090N

AP6N090KHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mS Fast Switching Characteristic ID3 4.1AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 7.2. Size:171K  ape
 ap6n090g.pdf pdf_icon

AP6N090N

AP6N090GHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m Simple Drive Requirement ID 2.7AS RoHS Compliant & Halogen-FreeDSOT-89GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the

 7.3. Size:210K  ape
 ap6n090y.pdf pdf_icon

AP6N090N

AP6N090YHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement S BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mD Fast Switching Characteristic ID3 3.5AGD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-26 DDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2P052N , AP2P053N , AP3601N , AP3N028EN , AP3N035N , AP3N045EN , AP3P080N , AP3P090N , RFP50N06 , AP6P250N , AP2301EN , AP2314GN , AP2318GEN , AP2320GN , AP6N2K0EN , AP2308GEN , AP2318BEN .

 

 
Back to Top

 


 
.