Справочник MOSFET. AP2314GN

 

AP2314GN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2314GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT23S
 

 Аналог (замена) для AP2314GN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2314GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  ape
ap2314gn.pdfpdf_icon

AP2314GN

AP2314GNHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower On-resistance RDS(ON) 75m Surface Mount Package ID 3.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestcombination of fast switching,low on

 0.1. Size:95K  ape
ap2314gn-hf.pdfpdf_icon

AP2314GN

AP2314GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Lower on-resistance RDS(ON) 75mD Surface mount package ID 3.5A RoHS Compliant & Halogen-FreeSSOT-23GDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resista

 9.1. Size:56K  ape
ap2310gg-hf.pdfpdf_icon

AP2314GN

AP2310GG-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 60VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m Simple Drive Requirement ID 2.7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Srug

 9.2. Size:99K  ape
ap2319gn-hf.pdfpdf_icon

AP2314GN

AP2319GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V Small Package Outline RDS(ON) 90mD Surface Mount Device ID -3.1A RoHS Compliant & Halogen-FreeSSOT-23 GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,l

Другие MOSFET... AP3N028EN , AP3N035N , AP3N045EN , AP3P080N , AP3P090N , AP6N090N , AP6P250N , AP2301EN , IRF530 , AP2318GEN , AP2320GN , AP6N2K0EN , AP2308GEN , AP2318BEN , AP15TP1R0Y , AP2604GY , AP2615GEY .

History: PSMN011-100YSF | 2SK3018UB

 

 
Back to Top

 


 
.