AP6N2K0EN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP6N2K0EN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: SOT23S
Аналог (замена) для AP6N2K0EN
AP6N2K0EN Datasheet (PDF)
ap6n2k0en.pdf

AP6N2K0ENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID3 450mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP6N2K0E series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve th
ap6n2r0i.pdf

AP6N2R0IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.1m Fast Switching Characteristic ID 110AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N2R0 seriesare fromAdvanced Power innovated d
ap6n2r0cdt.pdf

AP6N2R0CDTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 2m Ultra Low On-resistance ID4 205AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescription PDFN 5x6D D D DAP6N2R0C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achiev
ap6n2r0p.pdf

AP6N2R0PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2m Fast Switching Characteristic ID3 255AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N2R0 seriesare fromAdvanced Power innovated de
Другие MOSFET... AP3P080N , AP3P090N , AP6N090N , AP6P250N , AP2301EN , AP2314GN , AP2318GEN , AP2320GN , AO4407 , AP2308GEN , AP2318BEN , AP15TP1R0Y , AP2604GY , AP2615GEY , AP2617GY , AP2N030EY , AP2P052Y .
History: FMR23N50ES | 2SJ186 | DH060N08F | SI4178DY | UTD408G-TN3-R | IXFT80N08
History: FMR23N50ES | 2SJ186 | DH060N08F | SI4178DY | UTD408G-TN3-R | IXFT80N08



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345