AP2318BEN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP2318BEN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.69 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.53 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: SOT23S
Аналог (замена) для AP2318BEN
AP2318BEN Datasheet (PDF)
ap2318ben.pdf

AP2318BENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 3.0V Gate Drive BVDSS 30VD Lower Gate Charge RDS(ON) 1.5 Fast Switching Performance ID 0.53AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2318B series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achiev
ap2318agen-hf.pdf

AP2318AGEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 1.5 Surface Mount Device ID 540mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23 GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toGachieve the lowest possible on
ap2318gen-hf.pdf

AP2318GEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 1.5 Surface Mount Device ID 500mAS RoHS CompliantSOT-23 GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance, extrem
ap2318gen.pdf

AP2318GENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30VD Small Outline Package RDS(ON) 1.5 Surface Mount Device ID 500mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2318 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve t
Другие MOSFET... AP6N090N , AP6P250N , AP2301EN , AP2314GN , AP2318GEN , AP2320GN , AP6N2K0EN , AP2308GEN , IRFP450 , AP15TP1R0Y , AP2604GY , AP2615GEY , AP2617GY , AP2N030EY , AP2P052Y , AP3N028EY , AP6N090Y .
History: SHD219601 | 2SK2897-01MR | AONR66821
History: SHD219601 | 2SK2897-01MR | AONR66821



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor