Справочник MOSFET. AP15TP1R0Y

 

AP15TP1R0Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP15TP1R0Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для AP15TP1R0Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP15TP1R0Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  ape
ap15tp1r0y.pdfpdf_icon

AP15TP1R0Y

AP15TP1R0YHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic S BVDSS -150VD Lower Gate Charge D RDS(ON) 1 Small Footprint & Low Profile Package ID3 -1AGD RoHS Compliant & Halogen-FreeDSOT-26DDescriptionAP15TP1R0 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process t

 0.1. Size:159K  ape
ap15tp1r0yt.pdfpdf_icon

AP15TP1R0Y

AP15TP1R0YTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -150V Small Size & Lower Profile RDS(ON) 1 RoHS Compliant & Halogen-Free ID3 -1.2AGSDDDescriptionDAP15TP1R0 series are from Advanced Power innovated design andDsilicon process technology to achieve the lowest possible on

 5.1. Size:186K  ape
ap15tp1r0m.pdfpdf_icon

AP15TP1R0Y

AP15TP1R0MHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -150VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 1D Fast Switching Characteristic ID -1.1AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAP15TP1R0 series are from Advanced Power innovateddesign and silicon process technol

 9.1. Size:188K  ape
ap15tn1r5n.pdfpdf_icon

AP15TP1R0Y

AP15TN1R5NHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 150VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.5 Low Gate Charge ID 0.6AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDescription DAP15TN1R5 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve

Другие MOSFET... AP6P250N , AP2301EN , AP2314GN , AP2318GEN , AP2320GN , AP6N2K0EN , AP2308GEN , AP2318BEN , IRFP250 , AP2604GY , AP2615GEY , AP2617GY , AP2N030EY , AP2P052Y , AP3N028EY , AP6N090Y , AP2906EY .

History: SM9926 | PSMN011-100YSF | 12N70KG-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.