Справочник MOSFET. AP2615GEY

 

AP2615GEY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2615GEY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для AP2615GEY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2615GEY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  ape
ap2615gey.pdfpdf_icon

AP2615GEY

AP2615GEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Small Package Outline D RDS(ON) 52m Surface Mount Device ID - 5.0AGDD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-26DDescriptionAP2615 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to

 7.1. Size:93K  ape
ap2615gy-hf.pdfpdf_icon

AP2615GEY

AP2615GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic D BVDSS -30V Lower Gate Charge RDS(ON) 52m Small Footprint & Low Profile Package ID -5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDDescriptionDAP2615 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology

 9.1. Size:56K  ape
ap2611gyt-hf.pdfpdf_icon

AP2615GEY

AP2611GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching, ruggedized device d

 9.2. Size:96K  ape
ap2612gy-hf.pdfpdf_icon

AP2615GEY

AP2612GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 35m Surface Mount Device ID 6AGD RoHS CompliantDSOT-26DescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesDto achieve the lowest possible on-resistanc

Другие MOSFET... AP2314GN , AP2318GEN , AP2320GN , AP6N2K0EN , AP2308GEN , AP2318BEN , AP15TP1R0Y , AP2604GY , IRF1407 , AP2617GY , AP2N030EY , AP2P052Y , AP3N028EY , AP6N090Y , AP2906EY , AP2626GY , AP2530GY .

History: PSMN4R4-80PS | SVF7N65S | BSS138BKW

 

 
Back to Top

 


 
.